整流二極管模塊是一種先進的功率開關(guān)器件，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點,以及MOSFET(場效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動功率的優(yōu)點。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯、控制、檢測和保護電路，使用起來方便,不僅減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時間，也大大增強了系統(tǒng)的可靠性，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向--模塊化、復(fù)合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來越廣泛的應(yīng)用。
近二十年來專業(yè)生產(chǎn)各類電力半導(dǎo)體模塊的工藝制造技術(shù)，設(shè)計能力，工藝和測試設(shè)備以及生產(chǎn)制造經(jīng)驗，于2005年開發(fā)出了能滿足VVVF變頻器、高頻逆變焊機、大功率開關(guān)電源、不停電電源、高頻感應(yīng)加熱電源和伺服電機傳動放大器所需的"三相整流二極管整流橋開關(guān)模塊"(其型號為3QL)的基礎(chǔ)上，由于整流二極管模塊與采用3~5普通整流二極管相比具有反向恢復(fù)時間(trr)短，反向恢復(fù)峰值電流(IRM)小和反向恢復(fù)電荷(Qrr)低的FRED，因而使變頻的噪音大大降低，從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容尺寸減小，價格下降，使變頻器更易符合國內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)標(biāo)準(zhǔn)。
整流二極管模塊化結(jié)構(gòu)提高了產(chǎn)品的密集性、安全性和可靠性，同時也可降低裝置的生產(chǎn)成本，縮短新產(chǎn)品進入市場的周期，提高企業(yè)的市場競爭力。由于電路的聯(lián)線已在模塊內(nèi)部完成，因此，縮短了元器件之間的連線，可實現(xiàn)優(yōu)化布線和對稱性結(jié)構(gòu)的設(shè)計，使裝置線路的寄生電感和電容參數(shù)大大降低，有利于實現(xiàn)裝置的高頻化。此外，整流二極管模塊化結(jié)構(gòu)與同容量分立器件結(jié)構(gòu)相比，還具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、外接線簡單、便于維護和安裝等優(yōu)點，因而大大縮小了裝置的何種，降低裝置的重量和成本，且模塊的主電子、控制端子和輔助端子與銅底板之間具有2.5kV以上有效值的絕緣耐壓，使之能與裝置內(nèi)各種模塊共同安裝在一個接地的散熱器上，有利于裝置體積的進一步縮小，簡化裝置的結(jié)構(gòu)設(shè)計。
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更新時間：2017-08-22 
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