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Cassification
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IGBT逆變模塊廠家的設(shè)備的核心部分逆變器由大功率IGBT半橋組成。由鎖相環(huán)控制工作頻率,自動(dòng)跟蹤爐體固有頻率及其它參數(shù)的變化,保持IGBT工作在零電壓開關(guān)狀態(tài),損耗小,安全區(qū)大。由PWM電路控制輸出功率,由功率檢測(cè)電路組成閉環(huán)控制,本設(shè)備輸出電容與爐體構(gòu)成串聯(lián)形式,而不象一般晶閘管逆變采用并聯(lián)方式。這是由于:串聯(lián)結(jié)構(gòu)更適應(yīng)IGBT的電壓型逆變;爐體引線長(zhǎng)短只改變工作頻率而較少影響效率;更適合電容器的內(nèi)置。當(dāng)然,串聯(lián)結(jié)構(gòu)在空爐時(shí)由于Q值很高會(huì)產(chǎn)生很高的電壓,IGBT逆變模塊廠...
整流二極管模塊一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件。二極管zui重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負(fù)極流出。通常它包含一個(gè)PN結(jié),有正極和負(fù)極兩個(gè)端子。其結(jié)構(gòu)如圖所示。P區(qū)的載流子是空穴,N區(qū)的載流子是電子,在P區(qū)和N區(qū)間形成一定的位壘。外加使P區(qū)相對(duì)N區(qū)為正的電壓時(shí),位壘降低,位壘兩側(cè)附近產(chǎn)生儲(chǔ)存載流子,能通過大電流,整流二極管模塊具有低的電壓降,稱為正向?qū)顟B(tài)。若加相反的電壓,使位壘增加,可承受高的反向電壓,流過很小的反向電流,稱為反...
北京晶閘管供應(yīng)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱為可控硅;可控硅,是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,北京晶閘管供應(yīng)是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn),是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。北京晶閘管供應(yīng)被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中,多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)機(jī)、電視機(jī)、電冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、組合音響、聲光電路、定時(shí)控制器、玩具裝置、無(wú)線電遙控、...
北京晶閘管供應(yīng)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱為可控硅;1957年美國(guó)通用電氣公司開發(fā)出世界上*款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和門極;北京晶閘管供應(yīng)具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。北京晶閘管供應(yīng)按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導(dǎo)晶閘管...
日立電容廠家供應(yīng)的電容,電容器的簡(jiǎn)稱,是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一,廣泛應(yīng)用于隔直、耦合、旁路、濾波、調(diào)諧回路、能量轉(zhuǎn)換、控制電路等方面。電容(Capacitance)亦稱作“電容量”,是指在給定電位差下的電荷儲(chǔ)藏量,記為C,單位是法拉(F)。一般來說,電荷在電場(chǎng)中會(huì)受力而移動(dòng),當(dāng)導(dǎo)體之間有了介質(zhì),則阻礙了電荷移動(dòng)而使得電荷累積在導(dǎo)體上,造成電荷的累積儲(chǔ)存,儲(chǔ)存的電荷量則稱為電容。因電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一,所以廣泛應(yīng)用于隔直、耦合、旁路、濾波、調(diào)諧回路、...
西門子快速熔斷器為變頻器及軟起動(dòng)器中的電源類半導(dǎo)體器件提供了*保護(hù)??紤]到半導(dǎo)體組件電容的低熱效能,它們能夠迅速分?jǐn)?,沒有其它的保護(hù)設(shè)備能夠如此可靠地分?jǐn)喽搪冯娏?。西門子快速熔斷器對(duì)熔體電流密度和溫度的限制,比那些用于保護(hù)電纜和導(dǎo)體的傳統(tǒng)的低壓熔斷器的限制要高很多。這就是說熔斷器一直處于預(yù)備狀態(tài)。這就保證了當(dāng)出現(xiàn)故障時(shí)熔斷器可以做出*反應(yīng)。由于其特殊構(gòu)造的限制,3NE半導(dǎo)體保護(hù)型熔斷器還可以用于循環(huán)電路,而不必降低額定電流。由于它們的高循環(huán)電路容量和額定負(fù)載,而提供了zui低...
西門康IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn),此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來越多見。西門康IGBT模塊的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反...
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件,要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注,以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮,并保持很高的可靠性。本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問題和故障模式進(jìn)行了探討。各種工業(yè)應(yīng)用中通常會(huì)使用多達(dá)十幾種的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),設(shè)計(jì)IGBT模塊的目的就是為了向某種專門的應(yīng)用提供*的性價(jià)比和適當(dāng)?shù)目煽啃?。圖1為現(xiàn)有的IGBT功率模塊的主要組成部分。商用電動(dòng)車(EV)和混合動(dòng)力電動(dòng)車...
斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù),其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制,因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱,故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位,它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能,而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和可靠性,因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來的全控型功率半導(dǎo)體器件,它是由MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與GTR(大功率達(dá)林頓晶體管)結(jié)合,并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng),因此具有:驅(qū)動(dòng)功率小,通態(tài)壓降低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn),目前已廣泛應(yīng)用于變頻調(diào)速、開關(guān)電源等電力電...
高壓可控硅軟起動(dòng)器是一種集軟起動(dòng)和多種保護(hù)功能于一體的新型高壓電機(jī)軟起動(dòng)裝置。它不僅僅能在整個(gè)的起動(dòng)過程中平滑地起動(dòng)電機(jī),而且可以根據(jù)電動(dòng)機(jī)的負(fù)載的特性來調(diào)節(jié)起動(dòng)過程中的參數(shù),并且它的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、工作可靠,因此在各個(gè)生產(chǎn)領(lǐng)域中得到了越來越廣泛的應(yīng)用。在高壓可控硅軟起動(dòng)裝置中,如果選取額定電流太大的高壓可控硅,則沒有充分利用高壓可控硅的性能,并且裝置成本太高;如果選取額定電流太小的高壓可控硅,則裝置運(yùn)行不可靠,嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒毀高壓可控硅。因此,高壓可控硅額定電流的選擇非常關(guān)...
可控硅勵(lì)磁裝置失控的原因是非常多的,經(jīng)常進(jìn)行維護(hù)是減少問題出現(xiàn)的方法,平時(shí)的時(shí)候一定要對(duì)電站進(jìn)行定期的檢查,同時(shí)為了避免設(shè)備失控采取有效地方法,下面就為大家詳細(xì)的介紹一下預(yù)防可控硅元件失控的方法是什么?主要有下面五個(gè)方面。①三相觸發(fā)器輸出脈沖寬度、幅值以及相位正常,要是直流輸出波形三相不對(duì)稱的話,可調(diào)整觸發(fā)器脈沖相位來實(shí)現(xiàn)。②要是更換續(xù)流管的話,續(xù)流管的管壓降越好越好,是不超過0.5V。③觸發(fā)極的引線要經(jīng)常的保持完好,避免截?cái)鄬?dǎo)致丟脈沖。④定期的使用示波器查看可控橋的直流輸出...
北京英飛凌IGBT模塊絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor),它是八十年代初誕生,九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合器件。英飛凌IGBT模塊將MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身,既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動(dòng)型,又具有通態(tài)壓降低、高電壓、大電流的優(yōu)點(diǎn)。因此,IGBT的新技術(shù)、新工藝不斷有新的突破;應(yīng)用頻率硬開關(guān)5KHz~40KHz,軟開關(guān)40KHz~150KHz;功率從五千瓦到幾百千瓦的應(yīng)用場(chǎng)合。IGBT器件將不斷開拓新的...
西門子SinamicsV20變頻器新增全新E尺寸模塊,其zui大功率為30kW;E尺寸模塊具有重過載和輕過載的雙重模式,可以實(shí)現(xiàn)小功率變頻器驅(qū)動(dòng)動(dòng)大電機(jī),有效降低采購(gòu)成本;E尺寸模塊適用于風(fēng)機(jī)、水泵、壓縮機(jī)、輸送設(shè)備、攪拌機(jī)、石材切割等大功率的應(yīng)用場(chǎng)合。今天,西門子在“2014中國(guó)工業(yè)博覽會(huì)”現(xiàn)場(chǎng)發(fā)布了SinamicsV20變頻器全新E尺寸模塊。該模塊的zui大功率可達(dá)30kW,適用于風(fēng)機(jī)、水泵、壓縮機(jī)、輸送設(shè)備、攪拌機(jī)、石材切割等大功率應(yīng)用場(chǎng)合,并具有重過載和輕過載的雙重模...
IGBT的應(yīng)用及設(shè)計(jì)作為電力電子重要大功率主流器件之一,IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。在工業(yè)應(yīng)用方面,如交通控制、功率變換、工業(yè)電機(jī)、不間斷電源、風(fēng)電與太陽(yáng)能設(shè)備,以及用于自動(dòng)控制的變頻器。在消費(fèi)電子方面,IGBT用于家用電器、相機(jī)和手機(jī)。IGBT產(chǎn)品市場(chǎng)現(xiàn)狀分析國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求急劇上升曾使得IGBT市場(chǎng)一度被看好。雖然長(zhǎng)期來看,IGBT是一個(gè)值得期待的市場(chǎng),可是到目前為止IGBT的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)為大多數(shù)歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控...
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管,它是八十年代初誕生,九十年代迅速發(fā)展起來的新型復(fù)合電力電子器件。IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。鑒于IGBT的參數(shù)特性,目前IGBT主要應(yīng)用在電機(jī)、變換器(逆變器)、變頻器、UPS、EPS電源、風(fēng)力發(fā)電設(shè)備等工業(yè)控制領(lǐng)域。在上述應(yīng)用領(lǐng)域中IGBT憑借著電壓控制、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單,開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗小,可實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)等優(yōu)點(diǎn)在600V及以上中壓應(yīng)用領(lǐng)域中競(jìng)爭(zhēng)力逐步顯現(xiàn),在UPS、開關(guān)電源、電車、交流電機(jī)...
摘要:近幾年來,主要用于電能控制與變換的電力電子學(xué)迅速地?cái)U(kuò)展了它的應(yīng)用領(lǐng)域。市場(chǎng)對(duì)于的電能變換系統(tǒng)的要求主要集中在:尺寸小、重量輕以及效率高。因此,就要求功率半導(dǎo)體技術(shù)要在獲得更高性能、更先進(jìn)功能以及更大功率處理能力等方面有所進(jìn)步。系統(tǒng)縮小尺寸的解決方案之一是使用igbt-pim(功率集成模塊),將倒相電路、動(dòng)態(tài)保護(hù)電路以及整流二極管都集成在同一個(gè)模塊中。近幾年來,zui大額定電流低于100a的pim,由于尺寸小、易裝配、更經(jīng)濟(jì)等優(yōu)點(diǎn),其市場(chǎng)需求不斷增長(zhǎng)。下一代igbt模塊應(yīng)...
2013年過去了2014年來了!在這全國(guó)歡騰的時(shí)刻,我公司銷售的各類功率半導(dǎo)體模塊全部?jī)?yōu)惠折扣銷售,歡迎行老客戶前來選購(gòu)!我公司現(xiàn)有現(xiàn)貨的型號(hào)如下英飛凌IGBT系列FF450R12KT4FF450R12KE3FF450R12ME4FF450R12ME4FF450R12ME3FF450R06ME4FF400R12KE3FF400R12KE4FF400R06KE3FF400R17KE3FF400R33KF2CFF300R12KE4FF300R12KE3FF300R12KT4FF3...
型號(hào)(1U1200V)技術(shù)指標(biāo)型號(hào)(1U1700V)技術(shù)指標(biāo)BSM200GA120DN2200A/1200V/1UBSM200GA170DN2200A/1700V/1UBSM300GA120DN2300A/1200V/1UBSM300GA170DN2300A/1700V/1UBSM400GA120DN2400A/1200V/1UBSM400GA170DLC400A/1700V/1UBSM200GA120DLC200A/1200V/1UBSM200GA170DLC200A/17...
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